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石英晶片之所以能当为振荡器使用,是基于它的压电效应:在晶片的两个极上加一电场,会使晶体产生机械变形;在石英晶片上加上交变电压,晶体就会产生机械振动,同时机械变形振动又会产生交变电场,虽然这种交变电场的电压极其微弱,但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时,机械振动的幅度将急剧增加,这种现象称为“压电谐振”。    压电谐振状态的建立和维持都必须借助于振荡器电路才能实现。图3是一个串联型振荡器,晶体管T1和T2构成的两级放大器,石英晶体XT与电容C2构成LC电路。在这个电路中,石英晶体相当于一个电感,C2为可变电容器,调节其容量即可使电路进入谐振状态。该振荡器供电电压为5V,输出波形为方波。
发布时间: 2018 - 07 - 13
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什么是压敏电阻?“压敏电阻“是一种具有非线性伏安特性的电阻器件,主要用于在电路承受过压时进行电压钳位,吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“VoltageDependentResistor”简写为“VDR”,或者叫做“Varistor”。压敏电阻器的电阻体材料是半导体,所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的“氧化锌”(ZnO)压敏电阻器,它的主体材料有二价元素锌(Zn)和六价元素氧(O)所构成。所以从材料的角度来看,氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。在中国台湾,压敏电阻器称为“突波吸收器”,有时也称为“电冲击(浪涌)抑制器(吸收器)”。压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。怎么测量压敏电阻的好坏?判断压敏电阻通常需要一个调节电压范围很宽的一个电源,并且具有很好的限流作用。测量时在压敏电阻两端并联精密度很好的电压表。把可调电源引线连接到压敏电阻两端。缓慢调节电压上升,电压表指示电源电压,观察到达某个电压之后电压突然降低,降低之前最后时刻电压就是压敏电阻的保护值。压敏电阻它随着加在它上面的电压不断增大,它的电阻值可以从MΩ(兆欧)级变到mΩ(毫欧)级。当电压较低时,压敏电阻工作于...
发布时间: 2018 - 07 - 12
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mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。  mos管定义  双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。 N沟道mos管符号  场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。 MOS管被击穿的原因及解决方案如下:  第一、MOS管本身...
发布时间: 2018 - 07 - 11
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要想知道电解电容为什么会爆炸首先你得知道电解电容是什么电解电容是电容的一种,金属箔为正极(铝或钽),与正极紧贴金属的氧化膜(氧化铝或五氧化二钽)是电介质,阴极由导电材料、电解质(电解质可以是液体或固体)和其他材料共同组成,因电解质是阴极的主要部分,电解电容因此而得名。同时电解电容正负不可接错。铝电解电容器可以分为四类:引线型铝电解电容器;牛角型铝电解电容器;螺栓式铝电解电容器;固态铝电解电容器  电解电容的应用  有极性电解电容器通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。一般不能用于交流电源电路,在直流电源电路中作滤波电容使用时,其阳极(正极)应与电源电压的正极端相连接,阴极(负极)与电源电压的负极端相连接,不能接反,否则会损坏电容器无极性电解电容器通常用于音箱分频器电路、电视机S校正电路及单相电动机的起动电路。  电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中,其容量范围较大,一般为1~33000μF,额定工作电压范围为6.3~700V。其缺点是介质损耗、容量误差较大(最大允许偏差为+100%、-20%),耐高温性较差,存放时间长容易失效。  电解电容的极性,注意观察在电解电容的侧面有“-”是负极、“+”是正极,如果电解电容上没有标明正负极,也可以根据它的引脚的长短来判断,长脚为正极,短脚为负极。  电解电容爆炸原因1.正负极接反  2...
发布时间: 2018 - 07 - 06
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mlcc简介  MLCC即多层陶瓷电容器,也可简称为片式电容器、积层电容、叠层电容等,属于陶瓷电容器的一种。MLCC是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷电子元器件,再在电子元器件的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体,因此也可叫做“独石电容器”。  简单的平行板电容器基本结构是由一个绝缘的中间介质层加上外部两个导电的金属电极,而MLCC的结构主要包括三大部分:陶瓷介质,金属内电极,金属外电极。从结构上看,MLCC是多层叠合结构,简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。mlcc特性  MLCC具有体积小、电容量大、高频使用时损失率低、适合大量生产、价格低廉及稳定性高等特性,在信息产品讲求轻、薄、短、小的发展趋势及表面贴装技术(SMT)应用日益普及的市场环境下,具有良好的发展前景。1.配料:将陶瓷粉和粘合剂及溶剂等按一定比例经过球磨一定时间,形成陶瓷浆料。  2.流延:将陶瓷浆料通过流延机的浇注口,使其涂布在绕行的PET膜上,从而形成一层均匀的浆料薄层,再通过热风区(将浆料中绝大部分溶剂挥发),经干燥后可得到陶瓷膜片,一般膜片的厚度在10um-30um之间。  3.印刷:按照工艺要求,通过丝网印版将内电极浆料印刷到陶瓷膜片上。  4.叠层:把印刷有内电极的陶瓷膜片按设计的错位要求,叠压在一起,使之形成MLCC的巴块(...
发布时间: 2018 - 07 - 05
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电容式如何分类的?  基于电容的材料特性,其可分为以下几大类:  1、铝电解电容  电容容量范围为0.1uF--22000uF,高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选,广泛应用于电源滤波、解藕等场合。  2、薄膜电容  电容容量范围为0.1pF--10uF,具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应,因此是X、Y安全电容、EMI/EMC的首选。  3、钽电容  电容容量范围为2.2uF--560uF,低等效串联电阻(ESR)、低等效串联电感(ESL)。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容,是高稳定电源的理想选择。  4、陶瓷电容  电容容量范围为0.5pF--100uF,独特的材料和薄膜技术的结晶,迎合了当今“更轻、更薄、更节能”的设计理念。  5、超级电容  电容容量范围为0.022F--70F,极高的容值,因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。主要特点是:超高容值、良好的充/放电特性,适合于电能存储和电源备份。缺点是耐压较低,工作温度范围较窄。电解电容和普通电容区别:  电解电容器:  电解电容器一般有正、负极之分,即具有极性。因此在电路中使用时正、负极不能接错。现在已经可以制造无极性的或用于交流电路的电解电容器,称为双极性电解电容或无极性电解电容。在外加电压的作用下,由于某种原因而引起局部损坏的器件,具有自行修补的作用,这种现象叫做电解电容的自愈。电解电容一般只能在-...
发布时间: 2018 - 07 - 03
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什么是二极管的电容效应?  二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。  1.势垒电容CB(Cr)  PN结内缺少导电的载流子,其电导率很低,相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高,相当于金属导体。从这一结构来看,PN结等效于一个电容器。  事实上,当PN结两端加正向电压时,PN结变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容“放电”,当PN结两端加反向电压时,PN结变宽,结中空间电荷量增多,相当于电容“充电”。这种现象可以用一个电容来模拟,称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处,在于它的电容量并非常数,而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时,势垒电容减小;反向电压减小时,势垒电容增大。目前广泛应用的变容二极管,就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。  2.扩散电容CD  PN结正向偏置时,N区的电子向P区扩散,在P区形成一定的非平衡载流子的浓度分布,即靠近PN结一侧浓度高,远离PN结的一侧浓度低。显然,在P区积累了电子,即存贮了一定数量的负电荷;同样,在N区也积累了空穴,即存贮了一定数即正电荷。当正向电压加大时,扩散增强,这时由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数将增多,致使在两个区域内形成了电荷堆积,相当于电容器的充电。相反,当正向电压减小时,扩散减弱,即由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数减少,造成两个区域内电荷的减少,、...
发布时间: 2018 - 07 - 02
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贴片电感又称为功率电感、大电流电感和表面贴装高功率电感。具有小型化,高品质,高能量储存和低电阻等特性。一般电子线路中的电感是空心线圈,或带有磁芯的线圈,只能通过较小的电流,承受较低的电压;而功率电感也有空心线圈的,也有带磁芯的,主要特点是用粗导线绕制,可承受数十安,数百,数千,甚至于数万安。  功率贴片电感是分带磁罩和不带磁罩两种,主要由磁芯和铜线组成。在电路中主要起滤波和振荡作用。  贴片电感分类  片式电感器主要有4种类型,即绕线型、叠层型、编织型和薄膜片式电感器。常用的是绕线式和叠层式两种类型。前者是传统绕线电感器小型 化的产物;后者则采用多层印刷技术和叠层生产工艺制作,体积比绕线型片式电感器还要小,是电感元件领域重点开发的产品。  绕线型  它的特点是电感量范围广(mH~H),电感量精度高,损耗小(即Q大),容许电流大、制作工艺继承性强、简单、成本低等,但不足之处是在进一步小型化方 面受到限制。陶瓷为芯的绕线型片电感器在这样高的频率能够保持稳定的电感量和相当高的Q值,因而在高频回路中占据一席之地。  TDK的NL系列电感为绕线型,0.01~100uH,精度5%,高Q值,可以满足一般需求。  NLC型 适用于电源电路,额定电流可达300mA;NLV型为 高Q值,环保(再造塑料),可与NL互换;NLFC 有磁屏,适用于电源线。  叠层型  它具有良好的磁屏蔽性、烧结密度高、机械...
发布时间: 2018 - 06 - 28
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什么是稳压二极管  稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。 此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更高的稳定电压。稳压二极管怎么看功率  先要知道稳压最大负载电流,和稳压二级管要求的达到标称值时的最小电流,两个相加得到I。  再确定电源电压的最低值,减去稳压值,得到VL,计算出最大限流电阻R=VL/I。  在用最大电源电压,减去稳压值,得到VH,计算最大回路电流Ih= VH/R。  最后,才得到稳压管的最小功率 Pl=Ih * 稳压值。  实际应用中,要留最少30%的余量。主要参数  1.Uz— 稳定电压  指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别,同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如,2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。  2.Iz— 额定电流  指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时,稳压管虽并...
发布时间: 2018 - 06 - 27
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压敏电阻器简称VSR,是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。它在电路中用文字符号“RV”或“R”表示。一)压敏电阻器的种类 压敏电阻器可以按结构、制造过程、使用材料和伏安特性分类。 1.按结构分类  压敏电阻器按其结构可分为结型压敏电阻器、体型压敏电阻器、单颗粒层压敏电阻器和薄膜压敏电阻器等。 结型压敏电阻器是因为电阻体与金属电极之间的特殊接触,才具有了非线性特性,而体型压敏电阻器的非线性是由电阻体本身的半导体性质决定的。 2.按使用材料分类  压敏电阻器按其使用材料的不同可分为氧化锌压敏电阻器、碳化硅压敏电阻器、金属氧化物压敏电阻器、锗(硅)压敏电阻器、钛酸钡压敏电阻器等多种。 3.按其伏安特性分类  压敏电阻器按其伏安特性可分为对称型压敏电阻器(无极性)和非对称型压敏电阻器(有极性)。(二)压敏电阻器的结构特性与作用 1.压敏电阻器的结构特性  压敏电阻器与普通电阻器不同,它是根据半导体材料的非线性特性制成的。 普通电阻器遵守欧姆定律,而压敏电阻器的电压与电流则呈特殊的非线性关系。当压敏电阻器两端所加电压低于标称额定电压值时,压敏电阻器的电阻值接近无穷大,内部几乎无电流流过。当压敏电阻器两端电压略高于标称额定电压时,压敏电阻器将迅速击穿导通,并由高阻状态变为低阻...
发布时间: 2018 - 06 - 22
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总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。  这两种类型的FET各有其特点和用途。一般,增强型FET在高速、低功耗电路中很有使用价值;并且这种器件在工作时,它的栅偏电压的极性与漏极电压的相同,则在电路设计中较为方便。  (1)MOSFET:  对于Si半导体器件,由于Si/SiO2界面上电荷(多半是正电荷——Na+沾污所致)的影响,使得n型半导体表面容易产生积累层,而p型半导体表面容易反型(即出现表面反型层),所以比较容易制造出p沟道的增强型MOSFET(E-MOSFET),而较难以制作出n沟道的E-MOSFET。正因为如此,故在早期工艺水平条件下,常常制作的是p沟道的E-MOSFET。  当然,随着工艺技术水平的提高,现在已经能够很好地控制半导体的表面态以及表面电荷,从而就能够方便地制作出n沟道、或者p沟道的D-MOSFET或者E-MOSFET,以适应各种应用的需要。  MOSFET的导电是依靠表面沟道来进行的,而在0栅偏压下能否产生沟道,则与半导体衬底的掺杂浓度直接有关。若采用较低掺杂浓度的衬底,就可以获得D-MOSFET;采用较高掺杂浓度的衬底,就可以获得E-MOSFET。  (2)JFET:  对于结型场效应晶体...
发布时间: 2018 - 06 - 21
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随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件,其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点。1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。2、放大状态下集电极电流Ic,为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为零。3、饱和状态下,Vc电位很弱的情况下,仍然会有反向大电流Ic的产生。很多教科书对于这部分内容,在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书,大多采用了回避的方法,只给出结论却不讲原因。即使专业性 很强的教科书,采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当,使讲解内容前后矛盾,甚至造成讲还不如不讲的 效果,使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。一、 传统讲法及问题:传统讲法一般分三步,以NPN型为例(以下所有讨论皆以NPN型硅管为例)1.发射区向基区注入电子;2.电子在基区的扩散与复合;3.集电区收集由基区扩散过来的电子。问题1:这种讲解方法在第3步中,讲解集电极电流Ic的形成原因时,不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通,从而产生了Ic,而是不恰当地侧重 强调了Vc的高...
发布时间: 2018 - 06 - 19
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