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据报道,MLCC缺货潮正在从大尺寸向小尺寸渗透,小型化将缺货新主力。这轮缺货潮何时有望缓解,李竞表示,将会进行集体扩产,大宗类普通的电容,2018年年底将开始缓解。但是涨到芯片价的NPO不在此列。  “正常情况下,电子元器件会每年降价5-10%,MLCC涨价周期为每3-5年一次。”然而,今年以来,电子元器件普遍缺货纷纷涨价,MLCC涨价已经由3-5年正常涨一次,变成1年涨3-5次。LCC (MulTI-layer Ceramic Capacitors)即片式多层即陶瓷电容器,不仅在消费类电子设备中应用极多,而且在安防、工业、汽车电子以及物联网等领域中应用级广。今年以来,村田、太阳诱电等日系原厂,国巨、华新科等中国台湾厂商以及宇阳科技、风华高科等原厂的MLCC产品普遍供求失衡,价格大涨,且下游手机等终端厂商还很难拿到货。  “MLCC缺货现状还将持续下去,预计到2018年年底缺货潮将基本缓解。”今年以来,大宗类电容普遍涨价,MLCC价格更是大涨,其中部分型号的单颗MLCC价格已经从几毛钱涨到3.5元,涨幅远超预期,现在这颗MLCC的价格已经涨到芯片的价格了。从表象上看,MLCC涨价是由供求端不平衡所导致的,其实更深层次的原因是由产业发展的阶段性因素所引起的。MLCC缺货从大尺寸向小尺寸渗透,小型化将缺货新主力  今年以来,MLCC原厂多次进行调价,整体涨幅在5-30%。“这轮MLCC...
发布时间: 2017 - 12 - 26
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村田(中国)投资有限公司市场部总监五井健裕接受国际电子商情采访时提到,MLCC的供不应求是2017年行业热议话题,我们预测明年也将持续这一态势。这反映出半导体及电子行业的一种上行趋势,整个行业正在为冲击下一个高峰做准备。今后我们将进一步强化在中国的销售和客户技术支持服务体系,同时还将继续加大设备投资,工厂建设。基于对全球半导体行业发展趋势的预测,2018年,村田会继续稳固通信市场业务的基盘,并在车载电子、能源节控、医疗等市场寻找新的机遇,探寻物联网新商业模式。2018年汽车电子行业在智能化、电动化等大背景驱动下,需求量还会继续增长。由于ADAS系统的普及,预计高可靠性的车载元器件及传感器方面的需求量将会进一步扩大。在传统汽车市场,2018年村田会继续注力汽车动力传动系统,主被动安全系统,信息娱乐系统等,提供高品质,高可靠性的车用元器件及传感器。公开资料显示,受到需要拉动,2017年村田MLCC稳步成长,尤其是车用电子市场以及智能手机的增长带来了良好的效应。村田相信尽管存在不确定因素但全球经济走强的趋势不改。在电子行业,电子元器件需求仍然强劲。中国智能手机的增长放缓同时,市场需求将被智能手机和汽车的进一步功能复杂性所释放。的确,受到消费类电子升级换代,汽车电子大力发展,物联网市场持续扩大的刺激,被动元器件市场进入景气周期。风华高科日前表示,正常电子元器件每年降价5%-10%,但是ML...
发布时间: 2017 - 12 - 25
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采用电容退耦是解决电源噪声问题的主要方法。这种方法对提高瞬态电流的响应速度,降低电源分配系统的阻抗都非常有效。对于电容退耦,很多资料中都有涉及,但是阐述的角度不同。有些是从局部电荷存储(即储能)的角度来说明,有些是从电源分配系统的阻抗的角度来说明,还有些资料的说明更为混乱,一会提储能,一会提阻抗,因此很多人在看资料的时候感到有些迷惑。其实,这两种提法,本质上是相同的,只不过看待问题的视角不同而已。为了让大家有个清楚的认识,本文分别介绍一下这两种解释。当负载电流不变时,其电流由稳压电源部分提供,即图中的 I0,方向如图所示。此时电容两端电压与负载两端电压一致,电流 Ic 为 0,电容两端存储相当数量的电荷,其电荷数量和电容量有关。当负载瞬态电流发生变化时,由于负载芯片内部晶体管电平转换速度极快,必须在极短的时间内为负载芯片提供足够的电流。但是稳压电源无法很快响应负载电流的变化,因此,电流 I0 不会马上满足负载瞬态电流要求,因此负载芯片电压会降低。但是由于电容电压与负载电压相同,因此电容两端存在电压变化。对于电容来说电压变化必然产生电流,此时电容对负载放电,电流 Ic 不再为 0,为负载芯片提供电流。根据电容等式:只要电容量 C 足够大,只需很小的电压变化,电容就可以提供足够大的电流,满足负载瞬态电流的要求。这样就...
发布时间: 2017 - 12 - 20
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普通压电无源石英晶体是一种无极性元件,晶体内部本身只有经过加工的单一石英晶片,英文单词叫做(Quartz crystal)需要借助设计的电路才能产生振荡信号,单晶振本身是无非发生振荡的,插件的一般常规都是二个脚,当然也会有三个脚的,中间那个脚一般用来接地,当然随着科技的发展,后来有了四个脚的普通贴片谐振器,四个脚其实只要二个脚才是真正通电工作的,剩余两个脚一个是悬空,一个是可以用来接地(可接可不接)。晶体振荡器也分为无源晶体和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振(谐振)的英文名称不同,无源晶体为crystal(晶体),而有源晶振则叫做oscillator(振荡器)。无源晶体需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,所以“无源晶振”这个说法并不准确;有源晶振是一个完整的谐振振荡器。有源石英晶体振荡器是最少拥有最少4个脚的的产品,四个脚的用途是:一脚悬空,二脚接地,三脚接输出,四脚接电压,电压也有分为以下几种,1.8V-2.5V-3V-3.3V-3.8V-5V等电压,振荡器内部本身除了有加工过的压电石英晶片外,还有有源振荡器IC,以及电阻两颗,电容两颗,有些会有一颗三级稳压管等原件,插件的外观体积比较大,但是随着现在的科技发展,有源晶振体积也从最初的超大体积长20mm,宽11mm,到现在的2.5mm长,宽2.0mm的小尺寸,有源晶振的英文单词简称为(Quartz cryst...
发布时间: 2017 - 12 - 18
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随着社会的不断进步,物联网的发展,电子产品的室外应用场景,持续高增长,电子产品得到了极其广泛的应用,无论是公共事业,还是商用或者民用,已经深入到各个领域,这也造成了产品功能的多样化、应用环境的复杂化。随着产品功能越来越多,其功能接口也越来越丰富,比如:网络接口(带POE功能)、模拟视频接口、音频接口、报警接口、RS485接口、RS232接口等等。功能在不断地增多,但是对于产品的体积要求越来越小,在增加设计难度的同时也会使产品面临着更多的威胁,比如雨季随着雷电的增多,产品批量的损坏;冬季设备安装调试时,由于静电造成设备的功能异常等等。本文着重介绍常用防护器件在产品中的基本应用,通过防护电路来提高产品抗静电、抗浪涌干扰的能力,从而提高产品的稳定性。通信产品在应用的过程中,由于雷击等原因形成的过电压和过电流会对设备端口造成损害,因此应当设计相应的防护电路,各个端口根据其产品族类、网络地位、目标市场、应用环境、信号类型以及实现成本等多种因素的不同所对应的防护电路也不同。气体放电管是一种开关型保护器件,工作原理是气体放电。当两极间电压足够大时,极间间隙将放电击穿,由原来的绝缘状态转化为导电状态,类似短路。导电状态下两极间维持的电压很低,一般在20~50V,因此可以起到保护后级电路的效果。气体放电管的主要指标有:响应时间、直流击穿电压、冲击击穿电压、通流容量、绝缘电阻、极间电容、续流遮断时间。...
发布时间: 2017 - 12 - 14
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1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容器。30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容器。  1940年前后人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将陶瓷电容器使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。而陶瓷叠片电容器于1960年左右作为商品开始开发。到了1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,成为电子设备中不可缺少的零部件。现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的70%左右。  陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出陶瓷电容器领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、 BaTiO3, CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容器相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。  由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。  陶瓷电容器品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器;按无功功率大小可分为低功率、高...
发布时间: 2017 - 12 - 12
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硬件工程师总是在不断追求减小设备体积,优化设计,以期最大限度地降低设备成本。其中,减小作为辅助电源的直流稳压电源电路部分的体积,往往是最难解决的问题之一。       电容器降压电源的特点一、 概述        硬件工程师总是在不断追求减小设备体积,优化设计,以期最大限度地降低设备成本。其中,减小作为辅助电源的直流稳压电源电路部分的体积,往往是最难解决的问题之一。普通的线性直流稳压电源电路效率比较低,电源的变压器体积大,重量重,成本较高。          开关电源电路结构较复杂,成本高,电源纹波大,RFI和EMI干扰是难以解决的。          下文介绍的是一种新颖的电容降压型直流稳压电源电路。          这种电路无电源变压器,结构非常简单,具体有:体积小、重量轻、成本低廉、动态响应快、稳定可靠、高效(可达90%以上)等特点。二、 电容器降压原理       一个正弦交流电源U(如220V AC 50HZ)施加在电容电路上时,电容器两极板上的电荷,极板间的电场都是时间的函数。也就是说:电容器上电压电流的有效值和...
发布时间: 2017 - 12 - 11
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一切电子装置如洗衣机、冰箱、空调、计算机、仪器、仪表、汽车电子等都是由形形色色的,不同功能的电子电路组成。根据张飞第三大定律,组成电子电路的基本单位是电子元器件,这些器件都是以硬件的形式存在的,它们都有各自的电气参数,如电压电流及功率特性等。因此,元器件是最易损坏的物品,但其故障却是有规律可循的。一般的故障表现为电气参数损坏和物理损坏两类,那么电气参数的损坏又包含电压电流超过额定值导致的损坏,物理的损坏包括断裂,变形,阻值参数变化等表现形式。一、电阻损坏的特点电阻是电器设备中数量最多的元件,但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见,阻值变大较少见,阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广,其损坏的特点:一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100kΩ以上)的损坏率较高,中间阻值(如几百欧到几十千欧)的极少损坏;二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑,很容易发现,而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流,阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹,有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种,烧坏时可能会断裂,否则也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮,有的也没有什么痕迹,但绝不会烧焦发黑。根据以上特点,在检查电阻时可有所侧重,快速找出损坏的电阻。二、电解电容损坏的特点电解电容在电器设备中的用量很大,...
发布时间: 2017 - 12 - 08
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AVX公司通过AEC-Q200认证的新型TCQ系列低ESR导电聚合物电容具有出色的续航能力和性能稳定性,符合汽车应用的高可靠性要求。AVX公司推出了耐用的新型TCQ系列汽车导电聚合物贴片电容。TCQ系列符合汽车电子协会的AEC-Q200无源元件规范,通过了AEC极具挑战性的125°C寿命稳定性测试和湿度偏置测试(在85℃的温度和85%的相对湿度下,持续1000小时以上)。AVX公司全球汽车产品营销经理Gordon Hoey说:“由于材料固有的局限性,聚合物电容极难通过AEC-Q200寿命稳定性和湿度偏置测试。因此,我们将新型TCQ系列汽车导电聚合物贴片电容建立在我们公认的高可靠性TCR系列专业导电聚合物贴片电容的基础上,对材料、设计和生产工艺进行了几个关键改进,从而提供了通过AEC-Q200认证需要的增强型耐久性、高稳定性和恶劣环境性能。”TCQ系列汽车导电聚合物贴片电容具有导电聚合物电极,能够在推荐的使用条件下实现良性故障模式,在85℃和额定电压下的基本可靠性为每1000小时1%。该系列尺寸小,能够在高达125℃的工作温度下实现低DC泄漏(0.1CV)、高电容和稳定的电气性能,这让它们成为各种空间受限、恶劣环境下的汽车、工业、电信和DC/DC转换器应用的理想解决方案。新款TCQ系列汽车导电聚合物贴片电容不含铅,符合RoHS指令,目前提供3种尺寸选项:1210(EIA M...
发布时间: 2017 - 12 - 06
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固定电容器容易出现的故障现象是漏电、短路、断路、电容器内部引线接触不良(极片与引线连接处)等。尤其是电解电容器,其故障率较其他类型电容器高的多。电解电容器经常出现的故障现象有漏电、容量减小、击穿、电解液漏出等。电容器损坏后应配用原型号的。但电容器的种类繁多,如无同型号的应进行代用,代用的注意事项如下:1、代用的电容器标称值可在原电容器的标称值的基础上有±10%的浮动,对电源滤波电容、旁路电容等,浮动的范围还可大些,但对某些电路的电容器在代换时必须按原标称值,否则将造成电路的工作失常。如谐振电路、时间常数电路的电容器就必须按原标称值代换。再如电视机的视放与显像管阴极的耦合电容,该电容器损坏后也必须按原标称值代换,否则将影响图像质量。  2、代用的电容器的额定电压必须大于或等于原电容器的额定电压,或大于实际电路的工作电压。  3、代用电容器的频率特性必须满足实际电路的频率要求,或用高频率特性的电容器代换低频特性的电容器。  4、云母电容器、瓷介电容器可代换纸介电容器。瓷介电容器可代换云母电容器和玻璃釉电容器。钽电解电容器可代换铝电解电容器。  5、没有合适的电容器代换时,可采用电容器的串、并联获得合适的电容量。如果电容器的耐压值不够,也可以采用串联的方法提高耐压值。如电路需要耐压25V以上,电容量为500uf的电容器。只有1000uf/16V的电容器,可将两只1000uf/1...
发布时间: 2017 - 12 - 04
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随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件,其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点: 1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。 2、放大状态下集电极电流Ic,为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为零。 3、饱和状态下,Vc电位很弱的情况下,仍然会有反向大电流Ic的产生。 很多教科书对于这部分内容,在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书,大多采用了回避的方法,只给出结论却不讲原因。即使专业性 很强的教科书,采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当,使讲解内容前后矛盾,甚至造成讲还不如不讲的 效果,使初学者看后容易产生一头雾水的感觉。
发布时间: 2017 - 11 - 24
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MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?1.1功率损耗的原理图和实测图  一般来说,开关管工作的功率损耗原理图如图 1所示,主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”,小部分能量体现在“导通状态”,而关闭状态的损耗很小几乎为0,可以忽略不计。实际的测量波形图一般如图 2所示。1.2MOSFET和PFC MOSFET的测试区别  对于普通MOS管来说,不同周期的电压和电流波形几乎完全相同,因此整体功率损耗只需要任意测量一个周期即可。但对于PFC MOS管来说,不同周期的电压和电流波形都不相同,因此功率损耗的准确评估依赖较长时间(一般大于10ms),较高采样率(推荐1G采样率)的波形捕获,此时需要的存储深度推荐在10M以上,并且要求所有原始数据(不能抽样)都要参与功率损耗计算,实测截图如图 3所示。1.3MOSFET和PFC MOSFET的实测演示视频  开关损耗测试对于器件评估非常关键,通过示波器的电源分析软件,可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估,ZDS3000/4000系列示波器免费标配电源分析软件。
发布时间: 2017 - 11 - 23
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