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电阻缺货涨价形势进一步加剧。近日,电阻厂商丽智电子发出涨价通知,丽智电子部分产品调涨15%-30%,电阻预计缺货涨价状况将持续到第3季度。4月8日丽智电子公布了再次调价的通知。丽智电子表示由于产品需求量过大,部分产品的交易周期超过了16周,基于原材料大幅涨价,供应量吃紧的现实状况,决定对厚膜晶片电阻价格上调20%~30%,对二极管系列,保护元件价格上调15%。
发布时间: 2018 - 04 - 10
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2018年4月3日,三星电机发出通知,由于今年MLCC供应情况比去年更加严峻,一些主要生产商削减了非战略领域的生产。因此我们预计MLCC供应情况恐怕今年全年将不会得到改观。我们在可持续性和盈性能力基础上优化整体生产能力和分配政策。这对于投资我们的产能至关重要。我们在此次价格调整执行中也希望得到您的理解。新价格将从2018年5月1日起执行。
发布时间: 2018 - 04 - 08
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继前段时间的电容涨价之后,电阻不甘落后,也疯狂地涨了一波,于是电感不干了,跟上,我也涨!直接简单明了,一封公告函足以说明很多事了!
发布时间: 2018 - 04 - 02
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MLCC的定义MLCC(MulTI-layerCeramicCapacitors)是片式多层陶瓷电容器英文缩写。是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体,故也叫独石电容器。MLCC产品的主要特点1、等效串联电阻小,阻抗低在0.1-10MHz范围内,4.7μF的MLCC远比10倍容量的铝电解电容器及2倍以上容量的钽电解电容器阻抗要小得多,因此,在高频工作条件下,它有可能取代尺寸大或价格高的铝电解电容器或钽电解电容器,并有更好的性能。2、额定纹波电流大电容器的一个重要功能是用做平滑滤波器,因此额定纹波电流大小是一个重要性能指标。在设计滤波电路中,电容器的额定纹波电流要大于电路的最大纹波电流。由于MLCC的ESR小,因此它的额定纹波电流大,大电流的充、放电不会使电容器因过热而损坏。3、品种、规格齐全MLCC的品种、规格齐全。有耐高压系列(500~5000V)、EMI滤波系列、低阻抗系列、有高精度调谐系列(RF频段)及多个电容器阵列,适合各方面应用。4、尺寸小MLCC中0402尺寸的电容器的容量可达0.047μF(X5R)、0.1μF(Y5V),0603尺寸的可达1μF(Y5V),0805尺寸。mlcc电容的存储条件及使用期限使用期限:陶瓷电容器的保质期取决于存储条件和包装的方...
发布时间: 2018 - 03 - 30
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半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光。除了这种发光复合外,还有些电子被非发光中心(这个中心介于导带、介带中间附近)捕获,而后再与空穴复合,每次释放的能量不大,不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大,光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的,所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~780nm红光),半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄...
发布时间: 2018 - 03 - 29
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贴片电阻是什么贴片电阻,是金属玻璃铀电阻器中的一种。是将金属粉和玻璃铀粉混合,采用丝网印刷法印在基板上大功率贴片电阻器制成的电阻器。耐潮湿,高温,温度系数小。表面组装技术(SMT)的应用已十分普遍,采用SMT组装的电子产品的比例已超过90%。我国从八十年代起开始应入SMT技术。随着小型SMT生产设备的开发,SMT的应用范围在进一步扩大,航空、航天、仪器仪表、机床等领域也在采用SMT生产各种批量不大的电子产品或部件。电阻器在日常生活中一般直接称为电阻。是一个限流元件,将电阻接在电路中后,电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚,它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的电阻器是线性的,即通过电阻器的瞬时电流与外加瞬时电压成正比。用于分压的可变电阻器。在裸露的电阻体上,紧压着一至两个可移金属触点。触点位置确定电阻体任一端与触点间的阻值。特性体积小,重量轻;·适应再流焊与波峰焊;·电性能稳定,可靠性高;·装配成本低,并与自动装贴设备匹配;·机械强度高、高频特性优越。贴片电阻是什么材料制成的贴片式电阻一般由以下材料制作而成:基材是氧化铝,电阻材料是氧化钌1.基板(陶瓷基板)2.电阻浆(R膏)3.背导材料4.正导材料及侧导材料(Ag浆)5.一次保护玻璃G16.二次保护玻璃G27.Mark标记材料。...
发布时间: 2018 - 03 - 26
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三极管基本放大电路是放大电路中最基本的结构,是构成复杂放大电路的基本单元。它利用双极型半导体三极管输入电流控制输出电流的特性,或场效应半导体三极管输入电压控制输出电流的特性,实现信号的放大。本章基本放大电路的知识是进一步学习电子技术的重要基础。  基本放大电路一般是指由一个三极管或场效应管组成的放大电路。从电路的角度来看,可以将基本放大电路看成一个双端口网络。放大的作用体现在如下方面:三极管-基本放大电路  1.放大电路主要利用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号,输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大,输出信号的能量得到了加强。  2.输出信号的能量实际上是由直流电源提供的,只是经过三极管的控制,使之转换成信号能量,提供给负载。  共射组态基本放大电路的组成。  共射组态基本放大电路是输入信号加在加在基极和发射极之间,耦合电容器C1和Ce视为对交流信号短路。输出信号从集电极对地取出,经耦合电容器C2隔除直流量,仅将交流信号加到负载电阻RL之上。放大电路的共射组态实际上是指放大电路中的三极管是共射组态。  在输入信号为零时,直流电源通过各偏置电阻为三极管提供直流的基极电流和直流集电极电流,并在三极管的三个极间形成一定的直流电压。由于耦合电容的隔直流作用,直流电压无法到达放大电路的输入端和输出端。  当输入交流信号通过耦合电容C1和Ce加在三极管的发射结上时,发射结上的电压变成交、...
发布时间: 2018 - 03 - 22
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电阻在电路中的作用:电阻主要作用就是阻碍电流流过,应用于限流、分流、降压、分压、负载与电容配合作滤波器及阻匹配等。数字电路中功能有上拉电阻和下拉电阻。  电容器具有隔直流、提供容抗参数和贮存电能等作用,广泛地被用于隔直流、谐振、信号耦合、滤波、移相、能量转换和传感等电路中。  电阻,电路中对电流通过有阻碍作用并完成能量消耗的元件,单位是欧,电阻是电工计算中一个非常重要的物理量,不同材料的电阻率各不相同。电阻器和电容器的标称值和允许偏差一般都标在电阻体和电容体上,而在电路图上通常只标出标称值,电解电容则常增标耐压,特殊用途电容器除标出耐压外还要注明品种。它们的标志方法分为下列4种。  1、直标法:直标法是将电阻器和电容器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体和电容体上,其允偏差则用百分数表示,未标偏差值日的即为±20%的允许偏差。  2、文字符号法:文字符号法是将电阻器和电容器的标称值和允许偏差用数字和文字符号按一定规律组合标志在电阻体和电容体上。电阻器和电容器标称值的单位标志符号见表1,允许偏差的标志符号见表2. 先举几个电阻器的例子:6R2J表示该电阻标称值为6.2欧姆(Ω),允许偏差为±5%;3k6k表示表示电阻值为3.6千欧(kΩ),允许偏差10%;1M5则表示电阻值为1.5兆欧(MΩ),允许偏差±20%.再举几个电容器的例子:2n2J表示该电容...
发布时间: 2018 - 03 - 16
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光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时,可以使PN结中产生电子一空穴对,使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移,使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2CU、2DU等系列。用万用表检测红外线光敏二极管首先将万用表置于R&TImes;1k档,测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值(黑表笔所接引脚为正极)为3~10 kΩ左右,反向电阻值为500 kΩ以上。若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。万用表又称为复用表、多用表、三用表、繁用表等,是电力电子等部门不可缺少的测量仪表,一般以测量电压、电流和电阻为主要目的。万用表按显示方式分为指针万用表和数字万用表。是一种多功能、多量程的测量仪表,一般万用表可测量直流电流、直流电压、交流电流、交流电压、电阻和音频电平等,有的还可以测交流电流、电容量、电感量及半导体的一些参数(如β)等。测试方法:(1)电阻测量法(指针式万用表1kΩ挡)。黑表笔接c极,红表笔接e极,无光照时指针微动(接近∞...
发布时间: 2018 - 03 - 15
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共模电感(Common mode Choke),也叫共模扼流圈,是在一个闭合磁环上对称绕制方向相反、匝数相同的线圈。理想的共模扼流圈对L(或N)与E之间的共模干扰具有抑制作用,而对L与N之间存在的差模干扰无电感抑制作用。但实际线圈绕制的不完全对称,会导致差模漏电感的产生。信号电流或电源电流在两个绕组中流过时方向相反,产生的磁通量相互抵消,扼流圈呈现低阻抗。共模噪声电流(包括地环路引起的骚扰电流,也处称作纵向电流)流经两个绕组时方向相同,产生的磁通量同向相加,扼流圈呈现高阻抗,从而起到抑制共模噪声的作用。共模电感实质上是一个双向滤波器:一方面要滤除信号线上共模电磁干扰,另一方面又要抑制本身不向外发出电磁干扰,避免影响同一电磁环境下其他电子设备的正常工作。共模电感扼流圈是开关电源、变频器、UPS电源等设备中的一个重要部分。其工作原理:当工作电流流过两个绕向相反线圈时,产生两个相互抵消的磁场H1、H2,此时工作电流主要受线圈欧姆电阻以及可忽略不计的工作频率下小漏电感的阻尼。如果有干扰信号流过线圈时,线圈即呈现出高阻抗,产生很强的阻尼效果,达到衰减干扰信号作用。共模电感的滤波电路,La和Lb就是共模电感线圈。这两个线圈绕在同一铁芯上,匝数和相位都相同(绕制反向)。这样,当电路中的正常电流流经共模电感时,电流在同相位绕制的电感线圈中产生反向的磁场而相互抵消,此时正常信号电流主要受线圈电阻的影...
发布时间: 2018 - 03 - 13
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肖特基二极管简介  肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管原理  肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。  典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压...
发布时间: 2018 - 03 - 09
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MOSFET的击穿有哪几种?  Source、Drain、Gate  场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G  (这里不讲栅极GOX击穿了啊,只针对漏极电压击穿)  先讲测试条件,都是源栅衬底都是接地,然后扫描漏极电压,直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看,它的漏电通道有三条:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。  1) Drain-》Source穿通击穿:  这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展,当耗尽区碰到Source的时候,那源漏之间就不需要开启就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。那如何防止穿通呢?这就要回到二极管反偏特性了,耗尽区宽度除了与电压有关,还与两边的掺杂浓度有关,浓度越高可以抑制耗尽区宽度延 展,所以flow里面有个防穿通注入(APT: AnTI Punch Through),记住它要打和well同type的specis。当然实际遇到WAT的BV跑了而且确定是从Source端走了,可能还要看是否 PolyCD或者Spacer宽度,或者LDD_IMP问题了,那如何排除呢?这就要看你是否NMOS和PMOS都跑了?POLY CD可以通过Poly相关的WAT来验证。对吧?  对于穿通击穿,有以下一些特征:  (1)穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有...
发布时间: 2018 - 03 - 06
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