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共模电感(Common mode Choke),也叫共模扼流圈,是在一个闭合磁环上对称绕制方向相反、匝数相同的线圈。理想的共模扼流圈对L(或N)与E之间的共模干扰具有抑制作用,而对L与N之间存在的差模干扰无电感抑制作用。但实际线圈绕制的不完全对称,会导致差模漏电感的产生。信号电流或电源电流在两个绕组中流过时方向相反,产生的磁通量相互抵消,扼流圈呈现低阻抗。共模噪声电流(包括地环路引起的骚扰电流,也处称作纵向电流)流经两个绕组时方向相同,产生的磁通量同向相加,扼流圈呈现高阻抗,从而起到抑制共模噪声的作用。共模电感实质上是一个双向滤波器:一方面要滤除信号线上共模电磁干扰,另一方面又要抑制本身不向外发出电磁干扰,避免影响同一电磁环境下其他电子设备的正常工作。共模电感扼流圈是开关电源、变频器、UPS电源等设备中的一个重要部分。其工作原理:当工作电流流过两个绕向相反线圈时,产生两个相互抵消的磁场H1、H2,此时工作电流主要受线圈欧姆电阻以及可忽略不计的工作频率下小漏电感的阻尼。如果有干扰信号流过线圈时,线圈即呈现出高阻抗,产生很强的阻尼效果,达到衰减干扰信号作用。共模电感的滤波电路,La和Lb就是共模电感线圈。这两个线圈绕在同一铁芯上,匝数和相位都相同(绕制反向)。这样,当电路中的正常电流流经共模电感时,电流在同相位绕制的电感线圈中产生反向的磁场而相互抵消,此时正常信号电流主要受线圈电阻的影...
发布时间: 2018 - 03 - 13
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肖特基二极管简介  肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。 肖特基二极管原理  肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。  典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压...
发布时间: 2018 - 03 - 09
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MOSFET的击穿有哪几种?  Source、Drain、Gate  场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G  (这里不讲栅极GOX击穿了啊,只针对漏极电压击穿)  先讲测试条件,都是源栅衬底都是接地,然后扫描漏极电压,直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看,它的漏电通道有三条:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。  1) Drain-》Source穿通击穿:  这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展,当耗尽区碰到Source的时候,那源漏之间就不需要开启就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。那如何防止穿通呢?这就要回到二极管反偏特性了,耗尽区宽度除了与电压有关,还与两边的掺杂浓度有关,浓度越高可以抑制耗尽区宽度延 展,所以flow里面有个防穿通注入(APT: AnTI Punch Through),记住它要打和well同type的specis。当然实际遇到WAT的BV跑了而且确定是从Source端走了,可能还要看是否 PolyCD或者Spacer宽度,或者LDD_IMP问题了,那如何排除呢?这就要看你是否NMOS和PMOS都跑了?POLY CD可以通过Poly相关的WAT来验证。对吧?  对于穿通击穿,有以下一些特征:  (1)穿通击穿的击穿点软,击穿过程中,电流有...
发布时间: 2018 - 03 - 06
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3月2日,MLCC大厂村田发出通知,表示随着近年通信、车载等市场对高性能叠层陶瓷电容的需求大幅增长,但包括村田在内的各MLCC厂商皆已无法满足整体需求。村田表示,由于整体需求增长幅度大,村田必须将增产资源集中于市场需求高、生产难度大的小尺寸先端产品和高性能产品,对于已经存在小型化替代品的“旧产品群”,不得不将生产能力下调至2017年的50%,并且今后也会持续缩小其产能。此外,因其他MLCC厂商不断上调价格,“旧产品群”如:“0603/0805尺寸的高介电常数型、静电容量1uF以下”的订单不断向村田集中,导致村田产能调整举步维艰。因此,村田将拟通过小型化、多家供应商认证以及将订单转移至台湾等替他MLCC厂商的方案,以期实现对“旧产品群”订单的缩减。为了加强管控“旧产品群”订单过于集中等现象,于即日起,村田将针对下列产品着手实施初次价格调整,新的订单价格将于2018年3月2日开始生效。
发布时间: 2018 - 03 - 05
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整流二极管一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。整流二极管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示,另外,整流二极管的参数除前面介绍的几个外,还有最大整流电流,是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数,是选项用整流二极管的主要依据。肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度...
发布时间: 2018 - 02 - 28
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数码电子产品中的三极管与场效应管一般也为黑色,大多数为三只引脚,少数为四只引脚(三极管中有两个脚相通,一般为发射极E或源极S)。也有双三极管封装、双MOS管封装形式。需要说明的是,晶体三极管的外形和作用与场效应管极为相似,在电路板上很难区分,只有借助于原理图和印制板图识别,判断时应注意区分,以免误判。三极管有NPN、PNP两种类型,场效应管有NMOS管、PMOS管两种类型,其栅极G、源极S、漏极D分别对应于三极管的基极B、发射极E、集电极C。但与三极管相比,场效应管具有很高的输入电阻,工作时栅极几乎不取信号电流,因此它是电压控制元件。    MOS管使用注意事项:MOS管的输入阻抗高,这样很小的输入电流都会产生很高的电压,使管子击穿。因此拆卸场效应管时需使用防静电的电烙铁,最好使用热风枪。另外栅极不可悬浮,以免栅极电荷无处释放而击穿场效应管。    也有双三极管、双场效应管封装方式。一类是单纯的两个管子封装在一起,还有一类是两个管子有逻辑 关系,如构成电子开关等。
发布时间: 2018 - 01 - 26
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2018年1月12日,华新科技正式发出涨价通知,2018年1月12日,表示由于原物料以及人工成本持续上涨,决定针对0402、0603、0805、1206等厚膜电阻进行价格调涨,涨幅达10~15%,自2018年1月22日生效。华新科技成立于1992年,总部位于高雄。产品线包括积层陶瓷晶片电容(MLCC)及晶片排容(MLCC Array)、晶片电阻(Chip-R)及晶片排阻(Chip-R Array)、 射频元件(RF Components) 、圆板电容(DISC)、氧化锌变阻器(Varistor)、电感(Inductor) 及晶片保险丝(Chip Fuse)。其产品被广泛应用于电脑资讯、通讯设备、消费性电子商品、车用及工业应用等各式电子产品中。此为旺诠、国巨、光颉、丽智之后,国内第四家公开宣布调涨的晶片电阻厂,目前华新科的晶片电阻营收营收占比约25%。国巨因晶片电阻全球市占率高达34%,龙头厂喊涨,几乎确立晶片电阻的涨价趋势,二线厂目前仅大毅尚未松口跟进涨价,不过在上游陶瓷基板短缺之下,晶片电阻涨势已经难以抵挡。贴片电阻涨价原因详解电阻此轮涨价受市场需求及上游原材料涨价影响。2017年下半年以来,二线芯片电阻厂已面临来自上游原材料陶瓷基板涨价的压力。一方面,陶瓷基板厂商扩产保守,芯片电阻厂指出,芯片电阻厂全球分布已经走向稳定,基板厂除非有芯片电阻厂的提货保证,否则不敢轻易扩产。然而另...
发布时间: 2018 - 01 - 18
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什么是贴片电解电容  贴片铝电解电容,阴极采用的材料是电解液,这是个也是我们见得最多使用最广泛的电容。  它的特点:第一,贴片电容和底板是用锡焊死,电容底部和底板紧紧贴死,完全没有任何缝隙;第二,线路板背面没有任何焊点,从而无任何引起短路的可能性。而另一方面,贴片电容无论选用的元件还是生产工艺成本方面都比插件电容要高。  贴片铝电解电容  是否有橡胶底座,是判断SMT贴片与直插封装的主要依据。贴片铝电解电容的正负极判断方法  贴片铝电解电容的正负极区分和测量电容上面有标志的黑块为负极。在PCB上电容位置上有两个半圆,涂颜色的半圆对应的引脚为负极。也有用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负。  当我们不知道电容的正负极时,可以用万用表来测量。电容两极之间的介质并不是绝对的绝缘体,它的电阻也不是无限大,而是一个有限的数值,一般在 1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻或漏电电阻。只有电解电容的正极接电源正(电阻挡时的黑表笔),负端接电源负(电阻挡时的红表笔)时, 电解电容的漏电流才小(漏电阻大)。反之,则电解电容的漏电流增加(漏电阻减小)。这样,我们先假定某极为“+”极,万用表选用R*100或R*1K挡, 然后将假定的“+”极与万用表的黑表笔相接,另一电极与万用表的红表笔相接,记下表针停止的刻度(表针靠左阻值大),对于数字万用表来说可以直接读出读 数。然后将电容放电(两根引...
发布时间: 2018 - 01 - 16
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cbb电容  主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差  应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路  原理  无极性,绝缘阻抗很高,频率特性优异(频率响应宽广),而且介质损失很小。基于以上的优点,所以薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部份,必须使用频率特性良好,介质损失极低的电容器,方能确保信号在传送时,不致有太大的失真情形发生。 介电常数较高,体积小,容量大,稳定性比较好,适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容,介质损耗小,绝缘电阻高,但是温度系数大,可用于高频电路。 安规电容  安规电容是指电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全的安全电容器。安规电容通常只用于抗干扰电路中的滤波作用。它们用在电源滤波器里,起到电源滤波作用,分别对共模,差模干扰起滤波作用。  出于安全考虑和EMC考虑,一般在电源入口建议加上安规电容。安规电容的放电和普通电容不一样,普通电容在外部电源断开后电荷会保留很长时间,如果用手触摸就会被电到,而安规电容则没这个问题。 在交流电源输入端,一般需要增加3个安全电容来抑制EMI传导干扰。安规电容与CBB电容的区别  在要求较高的电路中,CBB电容代替了常见的聚苯或者云母电容。这主要是因为CBB电容与聚苯电容相比在体积上占有优势,能够以更小的达到同样的性能。但在CBB电容的使用过程中,也会出现MPK电容的应用场景。但对于很多新手来说,想...
发布时间: 2018 - 01 - 11
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一、电阻在电路中的作用在分析电阻电路时不必分别考虑该电阻对直流电和交流电的情况,也不必考虑频率高低的影响,只需要分析该电阻阻值大小对电流大小的影响,因为电阻器对这些电信号所呈现的阻值特性一样,下面是电阻在电路中的典型作用。三极管的基极需要直流工作电压,此时可以用一只电阻接在直流工作电压与该三极管基极之间,电源通过电阻R给基极提供偏置电压,电阻R1的大小决定了偏置电压的大小,这种电阻在电路中一般称为偏置电阻。    在电源与电路的A之间接入电阻时,A点的电压就比电源电压低,可以为发光二极管提供合适的电压。电阻R1同时限制该条支路的电流,保护发光二极管不会因为电流太大而烧坏,这种电阻在电路中一般称为降压电阻或者是限流电阻。   在电路中的子电路A和子电路B之间接入隔离电阻,就能将这两部分电路隔离,在黑白电视机电路中通常把电源电路和扫描等电路隔离就采用这种电路结构,这种电阻在电路中一般称为隔离电阻。   当电流流过电阻时,就在电阻两端产生电压,如图集电极负载电阻R2就是起到这个作用的,将流过电阻R2的电流转换成电压从UO输出,这种电阻在电路中一般称为集电极负载电阻。
发布时间: 2018 - 01 - 09
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由于原材料上涨,被动元件的供需缺口将进一步拉大,厂商和客户都要排队要货。目前被动元件供需缺口约5%,由于消费电子占被动元件70%以上的市场份额。根据芯头条获得消息,旺诠向客户发出涨价通知,针对各别型号做出价格调整。致:旺诠尊敬的合作伙伴在此万分感谢贵公司长期以来给予旺诠的支持与信任,使双方建立了良好的合作关系!由于原材料及包装材料的持续上涨,造成我们面临极大的成本压力,为了持续提供客户更好的服务,旺诠必须针对以下型别单价调整:1、0402 0603 0805 1206系列贴片电阻,价格调升15%2、调升后价格即日起生效值此2018年新年伊始,旺诠愿与各位同心协力,携手共赢!并祝贵公司在新的一年里繁荣昌盛,再创辉煌!2017年开始,通用型电子物料贴片电阻、贴片电容又开始发难,汽车电子和消费电子需求旺盛,加上成本压力攀高,被动元件出现供应短缺,原厂交货延期的厉害,相关供货商纷纷喊涨。2017年,贴片电阻行业原材料上涨明显,不管是手机产业链还是平板电脑等相关元器件行业,都是围绕这两个字:缺货或涨价,2018年才是刚刚开始。
发布时间: 2018 - 01 - 08
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据报道,MLCC缺货潮正在从大尺寸向小尺寸渗透,小型化将缺货新主力。这轮缺货潮何时有望缓解,李竞表示,将会进行集体扩产,大宗类普通的电容,2018年年底将开始缓解。但是涨到芯片价的NPO不在此列。  “正常情况下,电子元器件会每年降价5-10%,MLCC涨价周期为每3-5年一次。”然而,今年以来,电子元器件普遍缺货纷纷涨价,MLCC涨价已经由3-5年正常涨一次,变成1年涨3-5次。LCC (MulTI-layer Ceramic Capacitors)即片式多层即陶瓷电容器,不仅在消费类电子设备中应用极多,而且在安防、工业、汽车电子以及物联网等领域中应用级广。今年以来,村田、太阳诱电等日系原厂,国巨、华新科等中国台湾厂商以及宇阳科技、风华高科等原厂的MLCC产品普遍供求失衡,价格大涨,且下游手机等终端厂商还很难拿到货。  “MLCC缺货现状还将持续下去,预计到2018年年底缺货潮将基本缓解。”今年以来,大宗类电容普遍涨价,MLCC价格更是大涨,其中部分型号的单颗MLCC价格已经从几毛钱涨到3.5元,涨幅远超预期,现在这颗MLCC的价格已经涨到芯片的价格了。从表象上看,MLCC涨价是由供求端不平衡所导致的,其实更深层次的原因是由产业发展的阶段性因素所引起的。MLCC缺货从大尺寸向小尺寸渗透,小型化将缺货新主力  今年以来,MLCC原厂多次进行调价,整体涨幅在5-30%。“这轮MLCC...
发布时间: 2017 - 12 - 26
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