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《日科干货》MOS管功率损耗竟然还可以这么测

日期: 2017-11-23
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MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?

1.1功率损耗的原理图和实测图

  一般来说,开关管工作的功率损耗原理图如图 1所示,主要的能量损耗体现在“导通过程”和“关闭过程”,小部分能量体现在“导通状态”,而关闭状态的损耗很小几乎为0,可以忽略不计。

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实际的测量波形图一般如图 2所示。

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1.2MOSFET和PFC MOSFET的测试区别

  对于普通来说,不同周期的电压和电流波形几乎完全相同,因此整体功率损耗只需要任意测量一个周期即可。但对于PFC 来说,不同周期的电压和电流波形都不相同,因此功率损耗的准确评估依赖较长时间(一般大于10ms),较高采样率(推荐1G采样率)的波形捕获,此时需要的存储深度推荐在10M以上,并且要求所有原始数据(不能抽样)都要参与功率损耗计算,实测截图如图 3所示。

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1.3MOSFET和PFC MOSFET的实测演示视频

  开关损耗测试对于器件评估非常关键,通过示波器的电源分析软件,可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估,ZDS3000/4000系列示波器免费标配电源分析软件。


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