您好!欢迎来深圳市日科实业
服务热线: 86-755-82722511
购物车图片 购物车 ( )

《日科干货》插件和贴片铝电解电容封装

日期: 2018-06-08
浏览次数: 8

无论是手机还是电脑或者是诸多的电力产品以及设备,在运行只能够都离不开电容。电容的类型居多,不同的电容所呈现出的作用以及适用的环境都是不同的。而贴片铝电解电容是最为常见的一种电容。而其无论是耐压值以及封装都是与插件电容有不同之处。

贴片电解电容的封装

电解电容:可分为无极性和有极性两类,无极性电容下述两类封装最为常见,即0805、0603;而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容,一般我们平时用的最多的为铝电解电容,由于其电解质为铝,所以其温度稳定性以及精度都不是很高,而贴片元件由于其紧贴电路版,所以要求温度稳定性要高,所以贴片电容以钽电容为多,根据其耐压不同,贴片电容又可分为A、B、C、D四个系列,具体分类如下:

类型 封装形式 耐压

A 3216 10V

B 3528 16V

C 6032 25V

D 7343 35V

无极性电容的封装模型为RAD系列,例如“RAD-0.1”“RAD-0.2”“RAD-0.3”“RAD-0.4”等,其后缀的数字表示封装模型中两个焊盘间的距离,单位为“英寸”。电解电容的封装模型为RB系列,例如从“RB-.2/.4”到“RB-.5/.10”,其后缀的第一个数字表示封装模型中两个焊盘间的距离,第二个数字表示电容外形的尺寸,单位为“英寸”

接下来就来简单分析一下两者的区别吧。

对于贴片铝电解电容封装来说,其阴极采用的材料是电解液,这是个也是我们见得最多使用最广泛的电容。它的特点:第一,贴片电容和底板是用锡焊死,电容底部和底板紧紧贴死,完全没有任何缝隙;第二,线路板背面没有任何焊点,从而无任何引起短路的可能性。

而从生产工艺上来说,贴片式电容与插件式电容相比较其成本会高出很多。由于制作工艺的不同造成了难易度的不同,而这也使得贴片电容的销售价格比插件电容更高一些。

此外,在封装上,两者采用的封装方式也是有所不同的。相对来说,贴片铝电解电容封装的成本较高,对电容的保护更强。相对来说,两者可以从是否有橡胶底座来判断属于哪类封装。这是辨别两者封装的主要标准和依据。

贴片铝电解电容封装与插件封装是有一定区别的。不同的封装对贴片的保护程度不同,相对来说更需要通过多角度来区分,避免选择不当造成无法正常使用。毕竟电容是很多产品中必不可少的,而且不同的电容作用不同,是无可替代的。

贴片铝电解电容在电子线路中的作用一般概括为:通交流、阻直流。 贴片铝电解电容通常起滤波、旁路、耦合、去耦、转相等电气作用,是电子线路必不可少的组成部分。


铝电解电容器在结构上表现出如下明显的特点:

(1)铝电解电容器的工作介质为通过阳极氧化的方式在铝箔表面生成一层极薄的三氧化二铝(Al2O3),此氧化物介质层和电容器的阳极结合成一个完整的体系,两者相互依存,不能彼此独立;我们通常所说的电容器,其电极和电介质是彼此独立的。

(2)铝电解电容器的阳极是表面生成Al2O3介质层的铝箔,阴极并非我们习惯上认为的负箔,而是电容器的电解液。

(3)负箔在电解电容器中起电气引出的作用,因为作为电解电容器阴极的电解液无法直接和外电路连接,必须通过另一金属电极和电路的其它部分构成电气通路。

(4)铝电解电容器的阳极铝箔、阴极铝箔通常均为腐蚀铝箔,实际的表面积远远大于其表观表面积,这也是铝质电解电容器通常具有大的电容量的一个原因。由于采用具有众多微细蚀孔的铝箔,通常需用液态电解质才能更有效地利用其实际电极面积。

(5)由于铝电解电容器的介质氧化膜是采用阳极氧化的方式得到的,且其厚度正比于阳极氧化所施加的电压,所以,从原理上来说,铝质电解电容器的介质层厚度可以人为地精确控制。


News / 推荐新闻 More
2018 - 02 - 26
2018年2月26日,正月十一,春节的气氛还未消散,新的征程已拉开序幕!一大早,日科董事长叶少宏先生,亲自为家人们派发了“开工红包”。祝日科家人们大吉大利,狗年旺!旺!旺!愿日科小伙们全力以赴向前冲,奋力决战开门红!开工大吉新的一年,新的征程!新时代是奋斗者的时代!2018年,撸起袖子加油干!!
2018 - 06 - 22
压敏电阻器简称VSR,是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。它在电路中用文字符号“RV”或“R”表示。一)压敏电阻器的种类 压敏电阻器可以按结构、制造过程、使用材料和伏安特性分类。 1.按结构分类  压敏电阻器按其结构可分为结型压敏电阻器、体型压敏电阻器、单颗粒层压敏电阻器和薄膜压敏电阻器等。 结型压敏电阻器是因为电阻体与金属电极之间的特殊接触,才具有了非线性特性,而体型压敏电阻器的非线性是由电阻体本身的半导体性质决定的。 2.按使用材料分类  压敏电阻器按其使用材料的不同可分为氧化锌压敏电阻器、碳化硅压敏电阻器、金属氧化物压敏电阻器、锗(硅)压敏电阻器、钛酸钡压敏电阻器等多种。 3.按其伏安特性分类  压敏电阻器按其伏安特性可分为对称型压敏电阻器(无极性)和非对称型压敏电阻器(有极性)。(二)压敏电阻...
2018 - 06 - 21
总的来说,场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的FET。  这两种类型的FET各有其特点和用途。一般,增强型FET在高速、低功耗电路中很有使用价值;并且这种器件在工作时,它的栅偏电压的极性与漏极电压的相同,则在电路设计中较为方便。  (1)MOSFET:  对于Si半导体器件,由于Si/SiO2界面上电荷(多半是正电荷——Na+沾污所致)的影响,使得n型半导体表面容易产生积累层,而p型半导体表面容易反型(即出现表面反型层),所以比较容易制造出p沟道的增强型MOSFET(E-MOSFET),而较难以制作出n沟道的E-MOSFET。正因为如此,故在早期工艺水平条件下,常常制作的是p沟道的E-MOSFET。  当然,随着工艺技术水平的提高,现在已经...
2018 - 06 - 19
随着科学技的发展,电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件,其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点。三极管原理的关键是要说明以下三点。1、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic,这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。2、放大状态下集电极电流Ic,为什么会只受控于电流Ib而与电压无关;即:Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄,但只要Ib为零,则Ic即为零。3、饱和状态下,Vc电位很弱的情况下,仍然会有反向大电流Ic的产生。很多教科书对于这部分内容,在讲解方法上处理得并不适当。特别是针对初、中级学者的普及性教科书,大多采用了回避的方法,只给出结论却不讲原因。即使专业性 很强的教科书,采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当,使讲解内容前后矛盾,甚至造成讲...
联系我们 contacts
电话:86-755-82722511
传真:86-755-82722599
网址:http://www.rikeshiye.com
网店:http://rikeshiye.1688.com
地址:广东省深圳市南山区西丽平山民企科技园7栋3楼
栏目导航 navigation
分享到 share
快速咨询 consulting
  • 您的姓名:
  • *
  • 公司名称:
  • *
  • 地址:
  • *
  • 电话:
  • *
  • 传真:
  • *
  • E-mail:
  • *
  • 邮政编码:
  • *
  • 留言主题:
  • *
  • 详细说明:
  • *
     
Copyright ©2017 深圳市日科实业有限公司
犀牛云提供企业云服务