MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。目前在市场应用方面，排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品，随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了，这些产品对于MOS管的需求也是很大的，特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了。下面对MOS失效的原因总结以下六点，然后对1，2重点进行分析：1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。4：谐...
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常见的封装形式及结构SOP、QFP、BGA、QFN等/单片正装、倒装、混合 等等。塑料封装器件在性能、成本、可靠性及买用性方面优于气密性封装，其在军用及民用可靠性领域应用已经相当广泛，占世界芯片封装市场的90%以上。然而由于塑封器件更新换代的周期较快，进口采购渠道困难等问题，导致市场上假冒翻新器件日益泛滥假冒伪劣元器件类别假冒伪劣元器件: 伪劣器件（非原厂封装）：原厂芯片、非原厂封装； 残次器件：内部断丝、无芯片等； 假冒器件（相似功能替代）：二线厂家芯片、标识重印； 拆机片翻新（常见陶瓷器件）：引脚重镀、重新植球、标识 重印； 混批器件：原厂芯片、标识重印(换盖)、批一致性差（芯片、 框架、致密度等）；质量等级造假器件（C改I）：原厂芯片（低等级）、标识重印； 伪国产器件：采购进口器件，改标为国产器件；走私片：焊装整机走私、拆机、引脚重镀、重印； 等等。
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波电容在开关电源中起着非常重要的作用，如何正确选择滤波电容，尤其是输出滤波电容的选择则是每个工程技术人员都十分关心的问题。我们在电源滤波电路上可以看到各种各样的电容，100uF，10uF，100nF，10nF不同的容值，那么这些参数是如何确定的50Hz 工频电路中使用的普通电解电容器，其脉动电压频率仅为100Hz，充放电时间是毫秒数量级。为获得更小的脉动系数，所需的电容量高达数十万 μF，因此普通低频铝电解电容器的目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要参数。而开关电源中的输出滤波电解 电容器，其锯齿波电压频率高达数十kHz，甚至是数十MHz，这时电容量并不是其主要指标，衡量高频铝电解电容优劣的标准是“阻抗-频率”特性，要求在开 关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗，同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用。
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电感是一种能将电能通过磁通量的形式储存起来的被动电子元件。通常为导线卷绕的样子，当有电流通过时，会从电流流过方向的右边产生磁场。 电感值的计算公式。卷数越多，磁场越强。同时，横截面积变大，或改变磁芯都能够使磁场增强。交流电是指随时间推移电流大小和方向会发生周期性变化的电流。当交流电通过电感时，电流产生的磁场将其他的绕线切隔，因而产生反向电压，从而阻碍电流变化。特别是当电流突然增加时，和电流相反方向的，即电流减少方向的电动势会产生，来阻碍电流的增加。反之当电流减少时，则向电流增加的方向产生。若电流的方向逆转，反向电压也同样会产生。在电流被反向电压阻碍之前，电流的流向会发生逆转，因而电流就无法流过。 另一方面，直流电由于电流不会发生变化，就不会发生反向电压，也没有发生短路的危险。也就是说，电感器是可以让直流电通过，而通不过交流电的元器件。
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二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。2. 反向特性。 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。
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主要的区别厚膜和薄膜电阻不是实际厚度的电影，而是皮膜是如何应用到贴片的陶瓷基片表面（贴片电阻）或陶瓷圆棒（轴向电阻）。薄膜电阻器是由真空溅射法（真空沉积）把电阻钯材附着到绝缘陶瓷基板上。然后再将皮膜蚀刻，类似印刷电路板制造过程；也就是说，将表面涂有事先设计好的感光材料图样于皮膜，用紫外线照射，然后外露光敏涂料的激发，使覆盖的皮膜被蚀刻掉。厚膜电阻器是由丝网印刷法，将厚厚的导电膏 （Ceramic 和 Metal， 称为 Cermet 金属陶瓷），涂在氧化铝陶瓷基底。这种复合材料含有玻璃和压电陶瓷（陶瓷）原料，然后在 850°C 烤箱，烧结形成厚膜皮膜。薄膜电阻器比厚膜更具有低温度系数 TCR 和更精确的公差，这归功于溅射技术能精确定时控制。但厚膜电阻器具有较好的耐电压、耐冲击的承受能力，因为较厚的皮膜。FH系列是在高密度陶瓷基板上运用真空溅镀方式来生产，制程中不断求新求进，达到高精度 ± 0.01% 及温度系数 （TCR）5ppm ，提供完整尺寸0402/0603/0805/1206/2010/2512 及阻值范围。贴片耐冲击电阻 PWR 系列，高额定功率，改进工作额定电压，优秀的耐脉冲性能，常应用于等离子、医疗设备等。超精密贴片电阻 AR 系列，温度系数只有±5ppm~±50ppm，超精密性±0.01%~±1%，TaN ...
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特基二极管和整流二极管的区别肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流，高频电源整流中。肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。肖特基二极体的导通电压非常低。一般的二极管在电流流过时，会产生约0.7-1.7伏特的电压降，不过肖特基二极管的电压降只有0.15-0.45伏特，因此可以提升系统的效率。肖特基二极管和一般整流二极管最大的差异在于反向恢复时间，也就是二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间。一般整流二极管的反向恢复时间大约是数百nS，若是高速二极管则会低于一百nS，肖特基二极管没有反向恢复时间，因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十pS，特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十pS。由于一般整流二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换，没有反向恢复时间及反相电流的问题。
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在做射频的时候，选择电感电容时特别关注他们的Q值，那什么是Q值呢？Q值是什么意思，它为什么重要？品质因数Q：表征一个储能器件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标。元件的Q值愈大,用该元件组成的电路或网络的选择性愈佳。 或Q=无功功率/有功功率，或称特性阻抗与回路电阻之比。 Q值越高，损耗越小，效率越高；Q 值越高，谐振器的频率稳定度就越高，因此，能够更准确。
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MOS管封装分类按照安装在PCB板上的方式来划分，MOS管封装主要有两大类：插入式(Through Hole)和表面贴装式(Surface Mount)。 插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装（DIP）、晶体管外形封装（TO）、插针网格阵列封装（PGA）三种样式。 表面贴裝则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形（D-PAK）、小外形晶体管（SOT）、小外形封装（SOP）、方形扁平式封装（QFP）、塑封有引线芯片载体（PLCC）等。随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
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滤波电容用在电源整流电路中，用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。而且对于精密电路而言，往往这个时候会采用并联电容电路［1］ 的组合方式来提高滤波电容的工作效果。 低频滤波电容主要用于市电滤波或变压器整流后的滤波，其工作频率与市电一致为50Hz；而高频滤波电容主要工作在开关电源整流后的滤波，其工作频率为几千Hz到几万Hz。滤波电容在开关电源中起著非常重要的作用，如何正确选择滤波电容，尤其是输出滤波电容的选择则是每个工程技术人员十分关心的问题。 50赫兹工频电路中使用的普通电解电容器，其脉动电压频率仅为100赫兹，充放电时间是毫秒数量级。为获得更小的脉动系数，所需的电容量高达数十万微法，因此普通低频铝电解电容器的目标是以提高电容量为主，电容器的电容量、损耗角正切值以及漏电流是鉴别其优劣的主要参数。而开关电源中的输出滤波电解电容器，其锯齿波电压频率高达数万赫兹，甚至是数十兆赫兹。这时电容量并不是其主要指标，衡量高频铝电解电容优劣的标准是“阻抗- 频率”特性。要求在开关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗，同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用。 普通的低频电解电容器在万赫兹左右便开始呈现感性，无法满足开关电源的使用要求。而开关电源专用的高频铝电解电容器有四个端子，正极铝片的两端分别引出作为电容器的正极，负极铝片的两端也分别引出作为负极。电流从四端电容的一个正端...
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电阻是电阻器的简称。提问者所说的电阻大，可以理解为电阻的电阻值大和电阻的体积大两种。电阻的种类比较多，常用的电阻有；碳膜电阻、金属膜电阻、金属氧化膜电阻、玻璃釉电阻、合成碳膜电阻、线绕电阻、贴片电阻等等。电阻阻值与功率没有直接联系，例如碳膜电阻它属于薄膜类电阻，它是在碳棒基片上沉积电阻膜而形成的，这层电阻膜的厚度在几微米以下，所以对于这种型号的碳膜电阻来说，不可能将功率做得很大，一般情况下可以做到1/16W、1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W。但是它们的电阻值范围可以做得很广0.5Ω~10∧6Ω。而金属膜电阻则比碳膜电阻的电阻值范围更大(10×10∧7Ω)；金属氧化膜电阻其电阻值的范围较窄，一般电阻值小于200KΩ；合成膜电阻则电阻阻值范围可以从10Ω~10∧6MΩ。要想功率大则需要线绕电阻或水泥电阻器。它们两种电阻中；①线绕电阻，是采用康铜丝或镍铬合金缠绕在陶瓷管体上，外层涂有珐琅或玻璃釉保护层而制成的，它的最大功率可以达到200W。②水泥电阻则是用电阻率较小的电阻丝在玻璃纤维柱上缠绕，用陶瓷壳体封装而制成的。这类电阻按照型号分为RX27-1、RX27-1V、RX27-3(A、B、C)、RX27-4等。其中RX27-1型的功率范围在2~15W，阻值范围在0.1~2200Ω；RX27-3型的功率范围在5~15W，阻值范围在0.1~2700Ω；RX27-4型的功率范围...
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我们先来说说电容，都说大电容低频特性好，小电容高频特性好，那么根据容抗的大小与电容C及频率F成反比来说的话，是不是大电容不仅低频特性好，高频特性更好呢，因为频率越高，容量越大，容抗就越低，高频就是否越容易通过大电容呢，但从大电容充放电的速度慢来说的话，高频好象又不容易通过的，这不很矛盾吗？首先，高频低频是相对的。如果频率太高，那么，电容的容量变得再大也没有意义，因为，大家知道，线圈是电感，是阻高频的，频率越高，阻碍作用越大。尽管电感量很小，但是，大容量电容一般都有较长的引脚和较大的极板圈在一起，这时，电容两脚的等效电感量已经对高频起了很大的阻碍作用了。
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